Système de production PlasmaPro 100 Estrelas

La plateforme PlasmaPro 100 Estrelas est conçue pour offrir une flexibilité totale pour les applications de gravure ionique réactive profonde (DRIE) - répondant à un ensemble diversifié d'exigences de processus sur les marchés des microsystèmes électromécaniques (MEMS), de l'emballage avancé et de la nanotechnologie. Développé pour la recherche et la production en volume, le PlasmaPro 100 Estrelas offre une flexibilité ultime avec les procédés Bosch et cryogéniques. Vitesse de gravure élevée et haute sélectivité avec le procédé Bosch Procédés à paroi lisse et à rapport d'aspect élevé Profil hautement anisotrope (vertical) Faible taux, faible puissance pour la gravure du nano-silicium et le contrôle de l'encoche (SOI) Gravures à via conique Large gamme d'applications Serrage mécanique ou électrostatique (compatibilité avec les substrats) Meilleure reproductibilité Augmentation du temps moyen entre deux nettoyages (MTBC) Vue d'ensemble La technique DSiE ou Deep Reactive Ion Etching (DRIE) combine des étapes de gravure et de passivation isotropes du silicium de manière répétée pour obtenir des profils anisotropes. En utilisant une source de plasma à haute densité et une capacité de commutation rapide des gaz, cette technique vous permet d'obtenir des profils verticaux, des parois latérales lisses et des taux de gravure élevés avec une grande sélectivité pour les matériaux de masquage. Des procédés à parois lisses aux gravures de cavités à haute vitesse et des procédés à rapport d'aspect élevé aux gravures de via coniques, le PlasmaPro 100 Estrelas a été conçu pour garantir que la large gamme d'applications dans les domaines des MEMS, de l'emballage avancé et de la nanotechnologie puisse être réalisée sans qu'il soit nécessaire de changer le matériel de la chambre. Les nanostructures et les microstructures peuvent être réalisées car le matériel a été conçu pour pouvoir utiliser les technologies de gravure Bosch™ et Cryo dans la même chambre.