Système de production PlasmaPro 100 ALE

Le PlasmaPro 100 ALE permet un contrôle précis du processus de gravure pour les dispositifs semi-conducteurs de la prochaine génération. Spécialement conçu pour des processus tels que la gravure en creux pour les applications HEMT GaN et la gravure de couches à l'échelle nanométrique, le processus de gravure numérique/cyclique du système permet d'obtenir des surfaces lisses et peu endommagées. Procédé de gravure numérique/cyclique - l'équivalent de la gravure ALD Faible endommagement Surface de gravure lisse Superbe contrôle de la profondeur de gravure Idéal pour la gravure de couches à l'échelle nanométrique (p. ex. matériaux 2D) Large gamme de procédés et d'applications Caractéristiques Les couches devenant de plus en plus fines pour permettre la réalisation des dispositifs semi-conducteurs de la prochaine génération, il est nécessaire de disposer d'un contrôle de processus de plus en plus précis pour créer et manipuler ces couches. Le PlasmaPro 100 ALE répond à ce besoin en améliorant notre plateforme Cobra ICP avec du matériel spécialisé pour la gravure par couche atomique. Fournit des espèces réactives au substrat, avec un chemin uniforme à haute conductivité à travers la chambre - Permet l'utilisation d'un flux de gaz élevé tout en maintenant une faible pression Électrode à hauteur variable - Utilise les caractéristiques tridimensionnelles du plasma et s'adapte à des substrats d'une épaisseur allant jusqu'à 10 mm à une hauteur optimale Électrode à large plage de température (-150°C à +400°C) qui peut être refroidie par de l'azote liquide, un refroidisseur à recirculation de fluide ou chauffée par résistance - Une unité optionnelle de soufflage et d'échange de fluide peut automatiser le processus de changement de mode Électrode à fluide contrôlé alimentée par un refroidisseur à recirculation - Excellent contrôle de la température du substrat Une douchette alimentée par RF avec une distribution de gaz optimisée - Permet un traitement plasma uniforme avec une commutation LF/RF permettant un contrôle précis de la tension du film Capacité de pompage élevée - Offre une large fenêtre de pression de traitement