Ce module de traitement ICPCVD est conçu pour produire des films de haute qualité à des températures de croissance basses, grâce à des plasmas distants de haute densité qui permettent d'obtenir une qualité de film supérieure avec un faible endommagement du substrat.
Excellente uniformité, haut débit et procédés de haute précision
Films de haute qualité
Électrode à large plage de température
Compatible avec toutes les tailles de plaquettes jusqu'à 200 mm
Changement rapide entre les tailles de plaquettes
Faible coût de possession et facilité d'entretien
Empreinte compacte, disposition flexible
Électrodes chauffées par résistance avec une capacité allant jusqu'à 400°C ou 1200°C
Nettoyage in situ de la chambre et pointage final
Module flexible de distribution de vapeur permettant le dépôt de films utilisant des précurseurs liquides, par exemple TiO2 en utilisant le TTIP, SiO2 en utilisant le TEOS
Applications
Films d'excellente qualité et peu endommagés à des températures réduites.
Les matériaux typiques déposés comprennent SiO2, Si3N4 et SiON, Si et SiC à des températures de substrat aussi basses que 5ºC
Sources ICP de 65 mm, 180 mm et 300 mm assurant l'uniformité du processus
jusqu'à des plaquettes de 200 mm
Électrodes disponibles pour des plages de température allant de 5ºC à 400ºC
Technologie brevetée de distribution de gaz ICPCVD
Nettoyage in situ de la chambre avec point final
Module flexible de distribution de vapeur permettant le dépôt de films utilisant des précurseurs liquides, par exemple TiO2 utilisant le TTIP, SiO2 utilisant le TEOS
Le chauffage des parois réduit les dépôts sur les parois de la chambre
Le refroidissement de la face arrière à l'hélium avec serrage mécanique garantit des températures uniformes pour les plaquettes et des propriétés de film optimisées
Support client mondial
Oxford Instruments s'engage à fournir un support client mondial complet, flexible et fiable. Nous offrons un service d'excellente qualité tout au long de la durée de vie de votre système.
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