Système de production PlasmaPro 100 PECVD

Le système PECVD PlasmaPro 100 est spécialement conçu pour produire des films de haute qualité avec une excellente uniformité et un contrôle des propriétés du film telles que l'indice de réfraction, la tension, les caractéristiques électriques et le taux de gravure chimique humide. Notre système de dépôt en phase vapeur assisté par plasma est adapté à la passivation des films diélectriques (par exemple SiO2, SixNy), au carbure de silicium, au silicium amorphe, au dépôt de masques durs et aux revêtements antireflets. Films de haute qualité, haut débit, excellente uniformité Dépôt plasma haute densité et basse pression Excellent contrôle de l'indice de réfraction et des contraintes Compatible avec des tailles de plaquettes jusqu'à 200 mm Changement rapide entre les tailles de plaquettes Faible coût de possession et facilité d'entretien Électrodes chauffées par résistance avec une capacité allant de 400°C à 1200°C Nettoyage in situ de la chambre et pointage final Vue d'ensemble Le PlasmaPro 100 PECVD permet un excellent dépôt conforme et une faible génération de particules grâce à l'uniformité de la température de l'électrode et à la conception de la tête de douche dans l'électrode, qui permet à l'énergie RF de produire le plasma. Les espèces réactives à haute énergie du plasma offrent des taux de dépôt élevés pour atteindre l'épaisseur souhaitée du substrat tout en maintenant une faible pression. La double fréquence 13,56 MHz et 100 kHz appliquée à l'électrode supérieure permet de contrôler les contraintes et de densifier le film. Caractéristiques Fournit des espèces réactives au substrat, avec un chemin uniforme à haute conductivité à travers la chambre, ce qui permet d'utiliser un flux de gaz élevé tout en maintenant une faible pression La douchette alimentée par radiofréquence avec une distribution de gaz optimisée permet un traitement par plasma uniforme avec une commutation LF/RF permettant un contrôle précis de la tension du film La capacité de pompage élevée offre une large fenêtre de pression de traitement