Microscope FIB-SEM NX2000

de laboratoirepour la recherched'inspection

Les systèmes FIB-SEM sont devenus un outil indispensable pour la caractérisation et l'analyse des technologies les plus récentes et des matériaux haute performance à l'échelle nanométrique. La demande sans cesse croissante de lamelles TEM ultrafines sans artefacts pendant le traitement FIB exige les meilleures technologies d'optique ionique et électronique. Le système FIB haute performance et le système SEM haute résolution NX2000 d'Hitachi, avec ses technologies uniques de contrôle de l'orientation de l'échantillon* et de triple faisceau*, permettent une préparation d'échantillons TEM à haut débit et de haute qualité pour les applications de pointe. * Option Caractéristiques La détection en temps réel du point final du MEB à haut contraste permet la préparation d'échantillons TEM ultraminces de dispositifs de moins de 20 nm. Le micro-échantillonnage* et le mécanisme de positionnement de haute précision* permettent de contrôler l'orientation de l'échantillon pour les effets anti-curtaining (fonction ACE) et les lamelles uniformément épaisses. Système à triple faisceau* Configuration à triple faisceau pour la réduction des dommages induits par Ga FIB. Caractéristiques techniques Colonne FIB Tension d'accélération - 0,5 kV - 30 kV Courant du faisceau - 0,05 pA - 100 nA Colonne FE-SEM Tension d'accélération - 0,5 kV - 30 kV Source d'électrons - Source d'émission de champ à cathode froide Détecteur Détecteur standard - Upper/Lower SED & BSED Stade - X : 0 - 205 mm Y : 0 - 205 mm Z : 0 - 10 mm R : 0 - 360° infini T : -5 - 60° Accessoires spéciaux (en option) Ion Ar/Xe 3ème colonne Système de micro-échantillonnage Système d'injection multi-gaz Système à double inclinaison Fonction de basculement (pour l'ion Ar/Xe de la 3ème colonne) Assistant de préparation d'échantillons TEM Logiciel de préparation automatique d'échantillons TEM Logiciel de navigation CAD Logiciel de liaison avec les instruments d'inspection des défauts