L'IM4000II prend en charge le fraisage de sections transversales et le fraisage à plat pour préparer les échantillons en fonction de l'objectif. Le contrôle de la température de refroidissement, l'unité de support de protection de l'air et diverses options permettent la préparation de diverses sections transversales d'échantillons.
Caractéristiques
Vitesse de fraisage élevée
La vitesse de fraisage de la section transversale*1 de l'IM4000II est de 500 µm/h ou plus. Elle est efficace pour les matériaux durs qui nécessitent habituellement un traitement prolongé.
Lorsque l'angle d'oscillation pendant le fraisage de la section transversale change, la largeur et la profondeur de traitement correspondantes changent. La figure ci-dessous montre les images SEM d'une plaquette de Si après le fraisage de la section transversale. Les conditions de traitement sont les mêmes que celles présentées ci-dessus, sauf que l'angle d'oscillation a été réduit de ±30˚ à ±15˚. Il est démontré que la profondeur de traitement est plus importante que les résultats ci-dessus et qu'elle est donc très efficace pour la préparation rapide de sections transversales d'échantillons dont la structure cible est éloignée de la surface supérieure.
Fraisage hybride
Fraisage de sections transversales
Il est possible d'obtenir une surface vierge en pulvérisant (fraisage) les parties saillantes de l'échantillon qui dépassent le bord du masque. En irradiant le faisceau d'ions parallèlement à la surface traitée de l'échantillon, il est possible d'obtenir un fraisage plat et lisse, même avec des matériaux complexes de compositions différentes.
Principales utilisations
Préparation d'un échantillon en coupe transversale dans une région d'intérêt localisée (ROI)
Préparer un échantillon de section transversale difficile à polir par d'autres méthodes (matériaux composites, interface multicouche, papiers/films, etc.)
Fraisage à plat
Le fraisage à plat permet de traiter une zone plus large que le fraisage en coupe transversale grâce à l'excentricité du faisceau d'ions et à la rotation des points centraux de l'échantillon.
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