La source d'émission en champ froid est idéale pour l'imagerie à haute résolution, avec une taille de source et une répartition d'énergie réduites. La technologie innovante du canon CFE contribue à l'ultime FE-SEM avec une luminosité et une stabilité du faisceau supérieures, permettant une imagerie à haute résolution et une analyse élémentaire de haute qualité.
Pour permettre une acquisition stable des données aux niveaux de performance les plus élevés de l'instrument, le SU9000II offre de nouvelles capacités qui permettent des ajustements automatisés du système optique, ainsi que le nouveau logiciel EM Flow Creator en option pour permettre l'acquisition automatisée des données, en particulier la collecte de données séquentielles.
En outre, la conception unique du système optique offre une capacité d'EELS pour l'analyse avancée des matériaux.
Vue d'ensemble
Le SU9000II est le nouveau MEB haut de gamme de HITACHI. Il est doté d'une optique électronique unique, l'échantillon étant placé dans un espace entre les parties supérieure et inférieure de la pièce polaire de la lentille de l'objectif. Ce concept dit "true in-lens" - combiné à la nouvelle génération de la technologie d'émission à champ froid de HITACHI - garantit la résolution la plus élevée possible du système (résolution SE 0,4 nm à 30 kV, 0,7 nm à 1,0 kV [avec option de décélération]) et la stabilité.
Nouvelle source cohérente d'émission de champ froid
Pour que ce pouvoir de résolution puisse être utilisé dans les applications pratiques de votre laboratoire, le SU9000II utilise une platine d'échantillonnage à entrée latérale ultra stable, similaire aux systèmes TEM haut de gamme, et intègre un amortissement optimisé des vibrations ainsi qu'une armoire fermée pour protéger l'optique électronique des bruits ambiants. De plus, le concept de vide propre du SU9000II offre un niveau de vide dans le pistolet et la chambre d'échantillon qui est un ordre de grandeur supérieur à celui de la génération précédente,
---